PECVD系統(tǒng)

設(shè)備介紹

    該產(chǎn)品是由射頻電源、氣體質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、襯底控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成，適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

 

產(chǎn)品優(yōu)勢

• 更好的沉積效率

  PECVD比普通CVD具有更高的化學(xué)氣相沉積速率、更好的均勻性、一致性和穩(wěn)定性

• 所需溫度更低

  PECVD對于化學(xué)氣相沉積需要比普通CVD更低的溫度

• 成品質(zhì)量好

  具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn)

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技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品名稱	PECVD系統(tǒng)
產(chǎn)品型號	KJ-T1200-PE
外殼	不銹鋼
內(nèi)襯	兩層氧化鋁纖維
加熱元件	電阻絲
最高溫度	1200°C
工作溫度	≤1100 °C
溫度均勻	±1°C
升溫速率	≤10 °C/min
爐管尺寸	Φ200×1400mm（其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制）
管材	優(yōu)質(zhì)石英管
加熱區(qū)長度	300mm（其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制）
密封	法蘭
溫度控制	30 個可編程段，用于準(zhǔn)確控制加熱速率、冷卻速率和停留時間。 內(nèi)置 PID 自動調(diào)諧功能，具有過熱和熱電偶斷路保護(hù)。 過溫保護(hù)和警報(bào)允許在沒有服務(wù)人員的情況下進(jìn)行操作。 +/- 1 ºC 溫度精度。
準(zhǔn)確	±1°C

 

 

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