PECVD是在LPCVD過程進(jìn)行的同時，再利用輝光放電等離子體對沉積過程施加影響，借以增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，促進(jìn)氣體間的相互反應(yīng)，從而在較低的溫度下在基片上生長成膜的技術(shù)，稱為做等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，簡稱PECVD技術(shù)。l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

按激發(fā)電力的輸入方式，可分為外部感應(yīng)耦合式和內(nèi)部感應(yīng)耦合式兩種，l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

若以作業(yè)的生產(chǎn)方式來劃分，則有周期生產(chǎn)式和半連續(xù)生產(chǎn)與連續(xù)生產(chǎn)式三種。l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

PECVD的優(yōu)點(diǎn)：l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

1、PECVD生成膜溫度低，對基體影響小，從而可以避免高溫成膜造成的膜層晶粒粗大以及膜層與基體生成脆相等缺點(diǎn)；l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

2、在較低的壓力下進(jìn)行，由于反應(yīng)物中分子、原子、等離子粒團(tuán)與電子之間的碰撞、散射、電離等作用既提高了膜厚及成分的均勻性，也使膜層針孔減小，組織致密，內(nèi)應(yīng)力小，不易產(chǎn)生微裂紋；l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

3、等離子體對基片及膜層表面具有清洗作用，提高了膜層對基片的附著強(qiáng)度；l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

4、擴(kuò)大了化學(xué)氣相沉積的應(yīng)用范圍，特別是提供了在不同的基體上制備各種金屬膜、非晶態(tài)無機(jī)物膜、有機(jī)聚合膜的可能性。l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司

PECVD用于沉積低溫（小于300度）的Si3N4和SiO2膜，能比較好的解決上述存在的問題，對提高器件可靠性、穩(wěn)定性和發(fā)展大規(guī)模集成電路多層布線工藝提供了良好的成膜途徑。l9g高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司