氮化硅薄膜是一種物理、化學(xué)性能十分優(yōu)良的介質(zhì)膜,具有高的致密性、高的介電常數(shù)、良好的絕緣性能和優(yōu)異的抗Na能力等,因此廣泛應(yīng)用于集成電路的最后保護(hù)膜、耐磨抗蝕涂層、表面鈍化、層間絕緣、介質(zhì)電容等。氮化硅膜已用于制作新功能、多功能、高可靠性的器件,其特性在很大程度上依賴于薄膜的制作條件。

 

沉積氮化硅薄膜,射頻源頻率是標(biāo)準(zhǔn)頻率13.56MHz,使用SiH42NH3(Ar)氣體系統(tǒng),典型條件為:

沉積溫度330℃;射頻功率100～200W;滿載裝片量20.32cm硅片8片;工作氣壓200Pa;氣體流量比R[SiH4(mL/min)/NH3(mL/min)]=1/10,根據(jù)工作氣壓調(diào)整SiH4、NH3及保護(hù)氣體Ar流量,一般情況下NH3過飽和,根據(jù)折射率調(diào)整SiH4流量。試驗(yàn)選用單面拋光的P型硅片(100)晶面作襯底,薄膜沉積時(shí)對單晶硅片晶向電阻率無要求,拋光后的硅片從拋光機(jī)上卸下不必使其干燥,然后經(jīng)過以下處理:(1)用去離子水沖洗10min;(2)在120℃的V(H2SO4)ζV(H2O2)=3ζ1溶液中浸。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(簡稱PECVD)具有沉積溫度低(<400℃)、沉積膜針孔密度小、均勻性好、臺階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)。PECVD氮化硅薄膜技術(shù)已在半導(dǎo)體器件、集成電路的研制、芯片的鈍化膜和多層布線間介質(zhì)膜制作中得到廣泛應(yīng)用。

 

科佳pecvd系統(tǒng)可用于沉積SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、炭納米管（CNT）和氮化硅等，可以通多路保護(hù)氣體，與多家知名高校和企業(yè)合作，用戶可以根據(jù)自己的需求定做，咨詢熱線：0371-67826992