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化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)用哪個(gè)牌子的比較好
作者:河南鴻爐 來源：原創(chuàng) 發(fā)表時(shí)間：2018-12-25 10:37:39
一、定義：
化學(xué)氣相沉積法（chemical vapor deposition）是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。 簡單地說，CVD是讓某種需要的材料的氣體在高溫下面分解，然后讓生成的顆粒均勻的落在我們用來改造的東西上（基底），并且可以按需要長成固定的形狀大?。ū热绻軤睿瑺?，等等）
二、發(fā)展歷史：
CVD最早可以追溯到原始年代。古代人在洞穴中焚燒木材，會(huì)在洞穴的墻壁上面留下一層黑色的碳灰，這也可以認(rèn)為是一種沉積過程?，F(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機(jī)新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地?fù)饺四撤N雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機(jī)新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。 化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)天機(jī)薄膜材料。
三、原理簡介
首先是氣體進(jìn)入反應(yīng)器（①） 然后是氣體被吸附到材料表面（②） 然后氣體在材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，分解，成核，等等（③） 然后隨著反應(yīng)的進(jìn)行，沉積下來的材料會(huì)越來越多，并且按特定方向排列，我們稱之為生長（④） 最后是反應(yīng)生成的副產(chǎn)物，廢氣等排出反應(yīng)器（⑤） 用來進(jìn)行沉積的反應(yīng)可以很多，主要有四大類： 熱分解反應(yīng) SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) 氧化還原反應(yīng) SiH4(g) +O2(g)→SiO2(s)+2H2(g) 化學(xué)合成反應(yīng) TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g) 歧化反應(yīng) 2GeI2(g) →Ge(s) + GeI4(g)
CVD根據(jù)原理，
條件的不同，可以分為以下幾種： 低壓CVD(LPCVD) 常壓CVD(APCVD) 亞常壓CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD) 高密度等離子體CVD(HDPCVD) 快熱CVD(RTCVD) 金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)
鄭州科佳生產(chǎn)爐子十年有余，cvd系統(tǒng)和pecvd設(shè)備是我們主要生產(chǎn)和研究的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，設(shè)備元宵國外三十多個(gè)國家，受到一致的好評(píng)。
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